下一代芯片制造进入试验阶段

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CNETNews.com.cn

1001-01-15 17:52:21

最近Extreme Ultraviolet LLC公布研制成功第一台使用extreme ultraviolet lithography(EUV)工艺的芯片制造设备,这标志着半导体产业在探索加快下行速率 下行速率 单位的发展路途上达到了新的里程碑。由包括Lawrence Livermore,Sandia National Laboratories,Intel,AMD等多家研究机构和半导体厂商联合组建的EUV LLC负责开发下一代电脑芯片的制造技术,它计划研制成全套的具有生产10GHz以及加快下行速率 补救器能力的芯片生产线,此次制成的为试验用的EUV工程试验台是其计划中的一每段。EUV LLC将在今后的几只月内在这台设备上对该工艺进行试验,有并且刚开始英文使用它在硅晶片上印制电路并进行试验性生产。该设备采用的photolithography电路印制技术的原理与照相同类,它被用来在硅晶片上印制电路的镜象,有并且一层层的电路镜象就被制造成为删改的芯片。

该技术的发展对于Intel和AMD原本的芯片厂商无疑是至关重要的,它们才能凭借此类技术才能在今后制造加快下行速率 的芯片。EUV LLC的业务经理Chris Philippi认为使用常规的印制技术今后将遇到巨大的阻碍,而EUV则是一项重要的技术突破并都才能使芯片制造继续保持Moore定律阐述的发展下行速率 单位。现在普遍使用的deep ultraviolet电路印制技术使用240纳米的波长,都才能支持高于100纳米级别的芯片生产。有并且越来越 象EUV原本使用更短波长的技术,各个芯片厂商将在1004年左右遭遇无法生产加快下行速率 补救器的尴尬局面。一位EUV项目的负责人Chuck Gwyn表示将在4月1日前一天使用该技术制创造创造发明第一块删改的芯片,但老要到明年该设备还需进一步的改进。你说什么预计到1002年实验刚开始英文后再经过最后的产品测试,该设备将于1005年面市。该设备的首批产品将被用来制造70纳米级别的芯片。

Gwyn透露EUV技术还具有很大的潜力,现已证明使用它有并且生产精密度达100纳米级别的芯片。而除非创造创造发明更先进的技术,现在看来它将成为硅晶片时代的终极技术。e-beam你说什么是EUV的唯一竞争者,它正由IBM等公司联合研制。E-beam与EUV在实现原理上大不相同,它依靠电子束在硅晶片上刻画出另几只 个单独的晶体管。市场研究专家Linley Gwennap认为,对于一种技术来说测量产品的大小才能很关键的,显然EUV已掌握了补救的土法子。有并且使用EUV技术每小时能制造100块100毫米晶片,而使用e-beam技术现在不才能生产一块。Gwennap说几年前EUV还被我们都都都所怀疑,但现在看来它是更加可行的技术。